GT55N06
GT55N06
DFN5*6-8L
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
企业名：深圳市谷峰电子有限公司
类型：原厂制造商
电话：
0755-29961262
0755-29961262
0755-29961262
0755-29961262
手机：18601581758
18021160713
18652459835
15861688081
联系人：周叶/吕美/李丽/汪玉洁
QQ： 
邮箱：leaves@gofordsemi.com
地址：广东深圳宝安区49区华创达文化科技产业园F501-512
∟ 其他场效应管模块(20)
| Product | BVDSS | ID | PACKAGE |
| (V) | (A) | ||
|
9N40 |
400V |
9A |
TO-251/252 |
|
18N20 |
200V |
18A |
TO-251/252 |
|
630A |
200V |
9A |
TO-251/252 |
|
5N20A |
200V |
5A |
TO-251/252 |
|
G2002 |
200V |
2A |
TO-92 |
|
2002A |
200V |
2A |
SOT-23-6 |
|
1002 |
100V |
2A |
SOT-23 |
|
G1002 |
100V |
2A |
TO-92 |
|
G1002L |
100V |
2A |
SOT-23-3L |
|
G1003B |
100V |
5A |
SOT-23-3L |
|
G1003A |
100V |
5A |
SOT-23-3L |
|
G1005A |
100V |
5A |
SOT-23-3L |
|
G1006A |
100V |
6A |
TO-92 |
|
11N10C |
100V |
11A |
TO-251/252 |
|
G15N10C |
100V |
15A |
TO-252 |
|
18N10 |
100V |
18A |
TO-252 |
|
03N06 |
60V |
3A |
SOT-23-3L |
|
3400(L) |
30V |
5.8A |
SOT-23 |
|
2300 |
20V |
5.2A |
SOT-23 |
表格料号不全，更多料号请电询或QQ联系，谢谢！
产品型号：GT55N06 参数：60V 53A 封装：DFN5*6-8L
备注：快充/逆变器等用MOS管.
|
产品种类: |
MOSFET |
|
品牌: |
GOFORD |
|
型号: |
16N10 |
|
FET 型： |
N-channel |
| VDSS： | 60V |
| ID： | 53A |
| RDS(no)@4.5V: |
9.5mΩ |
| RDS(no)@10V： | 6.8mΩ |
| PD: | 70W |
| 封装： | DFN5*6-8L |
| 包装： | 3K/盘 |
|
Rohs： |
Lead free / RoHS Compliant |
场效应管电源开关电路。
场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
企业名：深圳市谷峰电子有限公司
类型：原厂制造商
电话：
0755-29961262
0755-29961262
0755-29961262
0755-29961262
手机：18601581758
18021160713
18652459835
15861688081
联系人：周叶/吕美/李丽/汪玉洁
QQ：
邮箱：leaves@gofordsemi.com
地址：广东深圳宝安区49区华创达文化科技产业园F501-512
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
