GM2015 SOT-23 -20V P沟道场效应晶体管 电容话筒专用

P沟道场效应晶体管 GM2015的极限参数：

• 漏极-源极电压：-20V
• 栅极-源极电压：±8V
• 漏极电流-连续：-2.4A
• 漏极电流-脉冲：-10A
• 总耗散功率：900mW
• 结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃

P沟道场效应晶体管 GM2015 关于P沟道MOS管的工作原理：

       正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏心极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压VGS也应为负。

• 1.导电沟道的形成（VDS=0）：

       当VDS=0时，在栅极之间加负电压VGS，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，N型半导体中的多子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，形成耗尽层，随着G、S剪负电压的增加，耗尽层加宽，当VGS增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成一个P型薄层，称反型层，这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的VGS称为开启电压VGS(th)，VGS到VGS(th)后在增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用VGS的大小控制导电沟道的宽度。

• 2.VDS≠0的情况：

       导电沟道形成以后，D,S 间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS增加。ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压消弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄。当VDS增大到使VGD=VDS(TH)，沟道在漏极附近出现夹断。

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