GM3419 SOT-23 -20V P沟道增强型MOS 场效应晶体管

场效应晶体管 GM3419 关于MOS场效应管的概述：

      MOS场效应管即金属—氧化物—半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET，即金属氧化物合成半导体的场效应管，属于绝缘栅型。

场效应晶体管 GM3419 关于MOS场效应管的主要特点：

      在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘栅层，因此具有很高的输入电阻（可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

场效应晶体管 GM3419的极限参数：

• 漏极-源极电压：-20V
• 栅极-源极电压：±12V
• 漏极电流-连续：-3.5A
• 漏极电流-脉冲：-17A
• 总耗散功率：1000mW
• 结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃

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