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P沟道MOS晶体管 EMD07P03H EDFN 5X6 小封装场效应管

P沟道MOS晶体管 EMD07P03H EDFN 5X6 小封装场效应管
P沟道MOS晶体管 EMD07P03H EDFN 5X6 小封装场效应管
  • 型号/规格:

    EMD07P03H

  • 品牌/商标:

    杰力

  • 封装形式:

    EDFN 5X6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息


P沟道MOS晶体管 EMD07P03H EDFN 5X6 小封装场效应管



小封装场效应管 EMD07P03H的产品参数:

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS -30 V
栅极-源极电压 VGS ±25 V
漏极电流-连续 ID -70 A
漏极电流-脉冲 IDM -150 A
雪崩电流 IAS -50 A
雪崩能量 EAS 125 mJ
功耗 PD 50 W
温度范围 Tj,Tstg -55~150
结到管壳的热阻 RθJC 2.5 ℃/W
结到环境的热阻 RθJA 50 ℃/W



小封装场效应管 EMD07P03H的电气特性:

  • 漏极-源极击穿电压:-30V
  • 栅极开启电压:-2.5V(典型值)
  • 栅极漏电流:±100nA
  • 值静态漏源导通电阻:8mΩ
  • 输入电容:2788pF
  • 输出电容:412pF
  • 反向传输电容:362pF
  • 栅源电荷密度:6nC
  • 栅漏电荷密度:9.1nC
  • 开启延迟时间:18nS
  • 上升时间:26nS
  • 关断延迟时间:22nS
  • 下降时间:75nS


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 076989268116

手机:13809624202

联系人:谭平

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