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福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F

福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F
福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F
  • 型号/规格:

    FIR5N50FG-D

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    500V

  • ID:

    5A

  • RDS(ON):

    1.6Ω

  • PD:

    38W

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息




福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F



塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的极限值:

  • 漏极-源极电压:500V
  • 漏极电流-连续:5A
  • 栅极-源极电压:±30V
  • 单脉冲雪崩能量:270mJ
  • 雪崩电流:5A
  • 功耗:38W
  • 工作结温:150℃
  • 存储温度:-55~+150℃
  • 焊接温度:300℃




塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的热阻:

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到管壳的热阻 3.28 ℃/W
RθJA 结到环境的热阻 120




塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的电特性:

符号 参数 测试条件 典型值 单位
BVDSS 漏极-源极击穿电压
ID=250μA,VGS=0 500

V
IDSS
零栅压漏极电流
VDS=500V,VGS=0V

1 μA
VDS=400V,Tj=125℃

10
VGS(TH) 栅极开启电压
ID=250μA,VDS=VGS 2
4 V
RDS(ON) 静态漏源导通电阻
ID=2.25A,VGS=10V

1.6 Ω
Ciss 输入电容 VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz

800 1000 pF
Coss 输出电容
75 95
Crss 反向传输电容
8.5 11
td(on) 开启延迟时间
VDD=250V,ID=4.5A RG=25Ω

13 35 ns
tr 开启上升时间

55 120
td(off) 关断延迟时间

25 60
tf 关断下降时间

35 80
Qgs 栅源电荷密度 VDS=400V,VGS=10V,ID=4.5A

3.4
nC
Qgd 栅漏电荷密度
6.4



塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的封装外形尺寸:


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 076989268116

手机:13809624202

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