福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F

塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的极限值：

• 漏极-源极电压：500V
• 漏极电流-连续：5A
• 栅极-源极电压：±30V
• 单脉冲雪崩能量：270mJ
• 雪崩电流：5A
• 功耗：38W
• 工作结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃
• 焊接温度：300℃

塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的热阻：

符号	参数	数值	单位
RθJC	结到管壳的热阻	3.28	℃/W
RθJA	结到环境的热阻	120

塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的电特性：

符号	参数	测试条件	值	典型值	值	单位
BVDSS	漏极-源极击穿电压	ID=250μA,VGS=0	500			V
IDSS	零栅压漏极电流	VDS=500V,VGS=0V			1	μA
		VDS=400V,Tj=125℃			10
VGS(TH)	栅极开启电压	ID=250μA,VDS=VGS	2		4	V
RDS(ON)	静态漏源导通电阻	ID=2.25A,VGS=10V			1.6	Ω
Ciss	输入电容	VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz		800	1000	pF
Coss	输出电容			75	95
Crss	反向传输电容			8.5	11
td(on)	开启延迟时间	VDD=250V,ID=4.5A RG=25Ω		13	35	ns
tr	开启上升时间			55	120
td(off)	关断延迟时间			25	60
tf	关断下降时间			35	80
Qgs	栅源电荷密度	VDS=400V,VGS=10V,ID=4.5A		3.4		nC
Qgd	栅漏电荷密度			6.4

塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的封装外形尺寸：

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