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I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I TOV/7A功率MOSFET

I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I TOV/7A功率MOSFET
I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I TOV/7A功率MOSFET
  • 型号/规格:

    FIR7N65BPG-I

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    650V

  • ID:

    7A

  • RDS(ON):

    1.2Ω

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

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商品信息




I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I TOV/7A功率MOSFET



I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I的极限值:

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
650 V
ID
漏极电流-连续 Tj=25℃
7 A
漏极电流-连续 Tj=100℃
4.7
VGS 栅极-源极电压
±30 V
EAS 单脉冲雪崩能量
420 mJ
IAR 雪崩电流
7 A
PD 功耗 Tj=25℃ 90 W
Tj 工作结温 150
Tstg 存储温度 -55~+150
TL 焊接温度 300



I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I的电特性:

符号 参数 典型值 单位
BVDSS 漏极-源极击穿电压
650

V
VGS(TH) 栅极开启电压
2
4
RDS(ON) 静态漏源导通电阻


1.2 Ω
Ciss 输入电容
1100 1430 pF
Coss 输出电容
135 175
Crss 反向传输电容
16 21
td(on) 开启延迟时间

30 70 ns
tr 开启上升时间

80 170
td(off) 关断延迟时间

65 140
tf 关断下降时间

60 130
Qgs 栅源电荷密度
7
nC
Qgd 栅漏电荷密度
14.5



I版高压场效应管 FIR7N65BPG-I的封装外形尺寸:



联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

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