福斯特N沟道功率MOSFET 150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG TO-247

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的极限值：

参数	符号	数值	单位
漏极-源极电压	VDSS	150	V
栅极-源极电压	VGS	±20
漏极电流-连续	ID	150	A
漏极电流-连续 TC=100℃		106
漏极电流-脉冲	IDM	600
功耗	PD	460	W
单脉冲雪崩能量	EAS	3100	mJ
工作结温和存储温度范围	TJ,Tstg	-55~+175	℃

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的电特性：

• B_VDSS：150V
• I_DSS：1μA
• I_GSS：±200nA
• V_GS(TH)：4V(Max)
• R_DS(ON)：8mΩ(Max)
• g_fs：150S
• C_iss：21000pF
• C_oss：1446pF
• C_rss：1120pF
• t_d(on)：20nS
• t_r：110nS
• t_d(off)：45nS
• t_f：70nS
• Q_gs：123nC
• Q_gd：184nC

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的封装外形尺寸：

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 076989268116

手机：13809624202

联系人：谭平

QQ：

邮箱：tanping@yushin88.com

地址：广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02