企业名：东莞市宇芯电子有限公司
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杰力MOS管 EMB03N03A TO-252 30V场效应管 N沟道MOSFET
30V场效应管EMB03N03A的极限值：
|
参数/测试条件 |
符号 | 数值 | 单位 | |
|
栅极-源极电压 |
VGS | ±20 |
V |
|
|
漏极-源极电压 |
BVDSS | 30 | ||
|
漏极电流-连续 |
TC=25℃ |
ID |
80 |
A |
|
TC=100℃ |
50 | |||
|
漏极电流-脉冲 |
IDM | 170 | ||
|
雪崩电流 |
IAS | 53 | ||
|
雪崩能量 |
EAS | 140 |
mJ |
|
|
重复雪崩能量 |
EAR | 40 | ||
|
功耗 |
TC=25℃ |
PD |
70 |
W |
|
TC=100℃ |
28 | |||
|
工作结温和存储温度范围 |
Tj,Tstg | -55~150 |
℃ |
|
30V场效应管EMB03N03A的电特性：
30V场效应管EMB03N03A的封装外形尺寸：
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