描述---

采用电平移位技术，在16引脚SOIC封装中，用于IGBT和MOSFET的500V高低侧栅极驱动集成电路具有典型的2.5A源和2.5A汇流。也可在14引脚PDIP

特征描述---

·为引导操作而设计的浮动通道

·完全操作到600 V可用（Ir2113s）

·dv / DT免疫

·栅极驱动电源的范围从10到20 V

·两个通道的欠电压锁定

·3.3 V逻辑兼容的

·独立的逻辑电源范围从3.3 V到20 V

·逻辑和电源接地+/- 5 V偏移

·CMOS Schmitt触发下拉输入

·逐周期边缘触发关机逻辑

·两个信道的匹配传播延迟

·与输入同相输出

描述：

该Ir2110/Ir2113是高电压、高速功率MOSFET和

具有独立高和低侧参考输出通道的IGBT驱动器。

专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使能

坚固的整体结构。逻辑输入兼容

标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出

驱动器的特点是高脉冲电流缓冲级设计的值

驾驶员交叉传导。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。这个

浮动通道可用于驱动高功率侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。

工作电压高达500或600伏。

Description

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and

IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels.

Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable

ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with

standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output

drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum

driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The

floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which

operates up to 500 or 600 volts

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