制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STGWT80H65DFB

数据列表 STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB;

标准包装   30

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列 -

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（值） 120A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2V @ 15V，80A

功率 - 值 469W

开关能量 2.1mJ（开），1.5mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 414nC

25°C 时 Td（开/关）值 84ns/280ns

测试条件 400V，80A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 85ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装 TO-3P

提供研发设计,推广AC-DC高能效驱动电源方案,特别在LED电源驱动及LED调光领域,提供给客户高性价比的创新方案. 分销品牌: 美国POWER(PI)，台湾绿达GRENERGY，矽瑞微，等品牌IC，MOS。

再次获得OPPO青睐，主要于P70拥有高性能及性价比优势，采用台积电12纳米FinFET制程，应用多核APU，工作频率高达 525 MHz，可实现快速、高效的终端人工智能处理能力，可说是增强AI引擎结合CPU与GPU的升级，性能比上一代的P60提升13%，对于时下消费者要求手游及照相功能，该芯片提供更流畅与高性能质量。

企业名：深圳市耀智达科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82513303
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