FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） ：2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） ：2200pF @ 15V
Vgs（值）： ±20V
FET 功能 -
功率耗散：（值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 5.3 毫欧 @ 19A，10V
工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳 ：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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