FET 类型; N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） :4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 1107pF @ 30V
Vgs（值） :±20V
FET 功能 -
功率耗散（值）: 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 28 毫欧 @ 7A，10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 :表面贴装
供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

• 其它介质

在固态金属内，电荷流动的载子是电子，从低电势流到高电势。在其它种介质内，任何电荷载子的载子流都可以形成电流。

电流在固态金属中(16张)

在真空内，可以制作一个离子束(ion beam) 或电子束。这也是一种电流。在有些传导性物质内，电流是由正电荷载子和负电荷载子共同形成的。在像质子导体(proton conductor) 一类的物质内，电流可能完全是由正电荷载子形成。例如，在水溶液内，电解质会导电，电流内的正价氢离子（质子）朝着某方向流动，负价的硫酸根离子朝着反方向流动。在电花(spark) 或等离子体内的电流内有电子、正离子、负离子。在半导体内，可以视电流为正值空穴（一个呈电中性的原子，由于少了一个负电的电子，所以那里就会呈现出一个正电性的空位）的流动。这种半导体称为p型半导体。[4] 

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