说明：此料号为全新原装

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公司名：深圳市远东电子有限公司

：陈小姐

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FET 类型: N 沟道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :15A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） :112nC @ 10V

Vgs（值）: ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :6800pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值）: 1.7W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 4.6 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 :表面贴装

供应商器件封装 :8-SOIC

封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-82721234

手机：13242912888

联系人：陈丹霞

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邮箱：YDIC_888@163.COM

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