FDS6680A    Fairchild Semiconductor   MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V    ROHS 无铅

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：12.5 A

导通电阻：9.5 mOhms

配置：Single Quad Drain Triple Source

工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow

封装：Reel

商标：Fairchild Semiconductor

 

 

型号：FDS6680A

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装方式 剪切带（CT）

寿命周期 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12.5A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 23nC @ 5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1620pF @ 15V

功率耗散（值） 2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.5 毫欧 @ 12.5A，10V

工作温度范围 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装 / 箱体 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

下降时间：15 ns

正向跨导 - 值：64 S

工作温度：- 55 C

功率耗散：2.5 W

上升时间：5 ns

系列：FDS6680

工厂包装数量：2500

典型关闭延迟时间：27 ns

零件号别名：FDS6680A_NL

单位重量：187 mg

 

FDS6680A  系列大量库存

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