本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：103 A
Rds上漏源导通电阻：9.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-萘甲酸：150 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：110 S
下降时间：43 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：55 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：77 ns
典型起始延迟时间：15 ns
零件号别名：IRF3610STRLPBF SP001574654
单位重量：2.200克

应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•全面表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	103	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	73
IDM	Pulsed Drain Current (?)	410
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	333	W
	Linear Derating Factor	2.2	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery ®	23	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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