型号：MJW3281A
品牌：ON
描述：isc Silicon PNP Power Transistor 
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
标准包装：25
封装：TO-92

MJW3281A描述：
MJW3281A和MJW1302A是百百t动力晶体管大功率音响，磁头定位器和其它线性应用程序

MJW3281A特点
•专为100瓦音频频率
•获得补充：增益线性度从100 mA至7的
                 hFE= 45 （分） @我C= 8 A
•低谐波失真
•高安全工作区−1 A / 100 V @ 1秒
•高FT−30 MHz的典型

•无铅包可用*

MJW3281A (NPN)

MJW1302A (PNP)

Complementary NPN-PNP

Silicon Power Bipolar

Transistors

The MJW3281A and MJW1302A are PowerBase power

transistors for high power audio, disk head positioners and other linear

applications.

Features

• Designed for 100 W Audio Frequency

• Gain Complementary:

Gain Linearity from 100 mA to 7 A

hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A

• Low Harmonic Distortion

• High Safe Operation Area − 1 A/100 V @ 1 Second

• High fT − 30 MHz Typical

• Pb−Free Packages are Available*

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