AO6601规格:

FET 类型 N 和 P 沟道互补型

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A，2.3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 285pF @ 15V

功率 - 值 1.15W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SC-74，SOT-457

供应商器件封装 6-TSOP

AO6601一般说明:

AO6601采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该

互补MOSFET形成高速功率

逆变器，适用于多种应用。

AO6601产品摘要:

N通道P通道

VDS = 30V -30V

 ID = 3.4A（VGS = 10V）-2.3A（VGS = -10V）

 RDS（ON）RDS（ON）

 <60mΩ（VGS = 10V）<115mΩ（VGS = -10V）

 <70mΩ（VGS = 4.5V）<150mΩ（VGS = -4.5V）

 <90mΩ（VGS = 2.5V）<200mΩ（VGS = -2.5V）

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