VS-GA250SA60S
ROHM(罗姆)
无铅环保型
600V
400A
1.66V @ 15V,200A
企业名:深圳国芯威科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82529597
手机:18598801555
联系人:李先生
邮箱:xyx11@szxinyixin.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区平湖富安大道亚纲1号1608-1609
IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。 晶体管 - IGBT - 模块正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时, 晶体管 - IGBT - 模块各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过鉴定,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。 晶体管 - IGBT - 模块由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比, 晶体管 - IGBT - 模块可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
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