双极晶体管BCM 856S H6327

封装 / 箱体：
SOT-363-6
晶体管极性：
PNP
集电极—基极电压 VCBO：
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：
5 V
集电极—射极饱和电压：
250 mV
直流电集电极电流：
200 mA

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商品信息

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。双极型晶体管晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为：双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。★放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区的特点是：◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。◆伏安特性的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。