TOSHIBA/东芝
2SK3568
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
*肖特基势垒栅
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
企业名：上海琼创电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
| 部件型号 | 2SK3568 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 12 A | |
| 漏功耗PD | 40 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.52 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
