IR/国际整流器
IRF640NS
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
4(V)
20(V)
6800(μS)
1160(pF)
18000(mA)
类型:经销商
电话:
联系人:何军
地址:上海中国 上海市嘉定区 曹安路1509号福瑞大厦720室
∟ 结型场效应管(8)
•导通电阻:RDS(on) max=150mΩ
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-263
•VDS=200V
•ID=18A
•Trr=251ns
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司