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IR 原装功率MOS——IRF640NS

IR 原装功率MOS——IRF640NS
IR 原装功率MOS——IRF640NS
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF640NS

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压:

    4(V)

  • 夹断电压:

    20(V)

  • 跨导:

    6800(μS)

  • *间电容:

    1160(pF)

  • 漏*电流:

    18000(mA)

普通会员
产品分类
商品信息

 •导通电阻:RDS(on) max=150mΩ

 •工作温度范围:-55 ~ 175°C

 •封装形式:TO-263

 •VDS=200V

 •ID=18A

 •Trr=251ns

 

 

联系方式

企业名:结型场效应管 上海贝臣电子有限公司

类型:经销商

电话:

联系人:何军

地址:上海中国 上海市嘉定区 曹安路1509号福瑞大厦720室

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