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K1019 2SK1019 供应二三*管，MOS场效应

K1019 2SK1019 供应二三*管，MOS场效应

K1019 2SK1019 供应二三*管，MOS场效应

封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格：
K1019 2SK1019
材料：
ALGaAS铝镓砷
用途：
A/宽频带放大
品牌/商标：
FUJI/富士通
沟道类型：
N沟道
种类：
结型(JFET)
导电方式：
增强型

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相关产品

普通会员

企业名：结型场效应管张私鹏

类型：经销商

电话：

联系人：张私鹏

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店中华街102号第四座。

产品分类

场效应管MOSFET(1018)
∟ 结型场效应管(1015)

新品上架

商品信息 更新时间：2014-04-25

欢迎光临鹏信达电子经营部(张私鹏)
专营各类旧机拆板三*管（场效应，整流，快速，恢复，可控硅等各类型管）
主销封装：TP-* TO-*L *IC集成：SMD DIP SOP PLCC系列
现货库存，价格优势，质量保专营各类旧机拆板三*管（场效应，整流，快速，恢复，可控硅等各类型管）
汕头鹏信达电子：欢迎各新老客户来电咨询。：手机：
地址：陈店中华街102号第四座.

联系方式

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