全国包邮 Infineon Technologies MOSFET IRFZ44NPBF

单位重量：
6 g
宽度：
4.4 mm
晶体管类型：
1 N-Channel
Pd-功率耗散：
83 W
长度：
10 mm
高度：
15.65 mm

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商品信息 更新时间：2017-09-07

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件

产品种类:	MOSFET
制造商:	Infineon
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	55 V
Id-连续漏极电流:	41 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
配置:	Single
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
高度:	15.65 mm
长度:	10 mm
Pd-功率耗散:	83 W
工厂包装数量:	1000
晶体管类型:	1 N-Channel
宽度:	4.4 mm
单位重量:	6 g