IR英飞凌  IRFP360PBF  场效应MOS管

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:400 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:210 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:280 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

 商标:Vishay / Siliconix 

正向跨导 - 值:14 S

 下降时间:67 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:79 ns 

工厂包装数量:500 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:100 ns

 典型接通延迟时间:18 ns

 单位重量:38 g

IRFP360PBF  场效应MOS管

特征

•动态dV / dt额定值

•重复雪崩额定

•独立的中央安装孔

•快速切换

•易于并联

•简单的驱动器要求

•符合RoHS指令2002/95 / EC

描述

来自Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的组合，

坚固耐用的器件设计，低导通电阻和

成本效益。

TO-247AC封装是

商业 - 工业应用中功率更高

水平排除了使用TO-220AB设备。该

TO-247AC与之前的TO-218类似但优于TO-247AC

因为它的隔离安装孔。 它也是

提供更大的针脚之间的爬电距离来满足

大多数安全规范的要求。

场效应MOS管   场效应MOS管

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