SBAS21LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
高频
制造商: ON Semiconductor 产品种类: 二极管 - 通用,功率,开关 产品: Switching Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 峰值反向电压: 250 V 浪涌电流: 625 mA If - 正向...
电话:0755-23994969
手机:13312935954
BAV103-GS18
Vishay(威世)
SOD80
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
中频
制造商: Vishay 产品种类: 二极管 - 通用,功率,开关 RoHS: 详细信息 商标: Vishay Semiconductors 产品: General Purpose Diodes 峰值反向电压: 250 V 正向连续电流: 0.25 A 浪涌电...
电话:0755-82533147
手机:13760331317
IN4148
ST
玻璃
无铅*型
直插式
散装
大功率
V
电话:0755-61128623
手机:13246600286
开关管
否
ST/意法
LL4148
硅(Si)
是
我司生产销售开关二极管4148,价格实惠,质量优,有需要的朋友欢迎洽谈!! 注:本公司是一家集生产加工、经销批发的有限责任公司,成立于二零零七年五月,主要产品有:触发二极管DB3...
电话:0755-23816323
手机:13728778089
1N4148
*
二*管
无铅*型
直插式
盒带编带包装、卷带编带包装、单件包装
*率
中频
主营全系列光藕 模块 二三*管 家电集成 继电器 IC 可代配套 公司网址:http://www.chaoxin-ic.com 公司空间:http://.qzone.qq.com :蔡伟添(先生) 手机: : 传真: 地址:广东省汕头市潮南...
电话:0754-86670453
手机:13536857766
1N4148
长电
SOD323
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
中频
1N4148是贴片开关二*管,特性是一般用电接触型
电话:0755-83013420
手机:13480859541
电话:82572348
手机:13714147077
1N4148
威世/TI
DO-35/SOP
无铅*型
直插式
盒带编带包装
大功率
高频
开关二*管,1N4148,直插DO-35封装,玻璃封装材料,连续反向电压VR 75V DC
电话:0755-83959194
手机:13670156641
IN4148
PHI
DIP
普通型
直插式
卷带编带包装
小功率
中频
4148是*开关管(这里*相对4001等整流管而言),开关比较*,适用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离。
电话:0755-83665775
手机:18923879878
B*70W-7-F
DIOD*美台
SOT-323
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
*率
中频
B*70W-7-F 是300mA,75V,200mW双开关二*管,具有开关速度快,*小型表面贴装包,通用开关应用和高电导的特点。B*70W-7-F 丝印:KJA 封装:SOT-323 包装:3000个/盘
电话:0755-83958605
手机:13713905519
IXBOD1-08
IXYS
DIP2
无铅环保型
直插式
袋装
大功率
高频
制造商: IXYS 产品种类: 硅对称二端开关元件 RoHS: 详细信息 转折电流 VBO: 800 V 转折电流 IBO: 15 mA 不重复通态电流: 200 A 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 20 uA 保持电流...
电话:0755-61192794
1SS133T-77B
ROHM
DO
无铅*型
直插式
盒带编带包装
小功率
V
长期供应原装现货
电话:021-37831020
手机:18621552045
DA204K T146
ROHM(罗姆)
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
DA204K T146是开关二*管。罗姆(ROHM)的开关二*管以高供给力和高*性封装为傲。原装*ROHM,一手货源,负责,*十。*:小型塑胶型;高*性。
电话:0755-82707258
手机:13510390753
LL4148
VISHAY
圆柱
无铅*型
贴片式
盘装
小功率
中频
电话:0755-82807313
手机:13602639178
1N5819
JCST(长电)
SMD
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
V
公司主营:被动元器件全系,三星电容、村田电容、TDK电容、风华电容、LED发光二*管、今台发光二*管、欧司朗发光二*管、亿光发光二*管、光宝发光二*管、*X钽电容、KEMET钽电容、基美钽...
电话:0755-82544779
手机:13751188660
LL4148
ST
LL-34
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
V
公司主推产品 (型号、封装、品牌、特性) 1、 二*管: (1)开关二*管 B*70、B*99、 1SS355、M*D4148、封装有SOT-23、SOT-323、SOT-363、SOT-523(贴片)、主推PHI/长电/ST。 2、肖特基...
电话:0755-83267232
手机:13510404450
开关管
国产
LBAV99LT1G
LRC开关二极管 LBAV99LT1G封装 SOT-23Device DeviceMarkingVR(V) IF (mA)VFIRTrr(ns)PackageMax (V)IF (mA)Max (µA)VR (V) LBAV99LT1G A.5704 SOT-23 本公司经营二三极管,开关二极管,肖特基二极管,质量保证,欢迎咨询洽谈。电 话:(来电请说...
电话:0755-25900555
手机:13715166335
1N4148
ST(意法半导体)
DO035
无铅*型
直插式
散装
小功率
中频
应用范围:开关 品牌:国产 型号:1N4148 结构:点接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:直插型 封装材料:玻璃封装 功率特性:小功率 频率特性:低频 *,价格有优势 型号 品牌 年份 封装 TOP221YN P...
电话:755-83238159
手机:13560750399
1N4148、LL4148
ST先科、*HL
玻璃封装
无铅*型
贴片式
小功率
高频
200mA
供应ST先科(SEMTECH)、*HL品牌LL-34封装贴片开关二*管LL4148(1N4148),原装、*新货,一手货源、优势价格,欢迎广大贸易商、电子厂商来人来电咨询采购!
电话:0755-61329780
手机:13632894778
日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE:VSH)宣布,推出超小型可润湿侧翼DFN1006-2A塑料封装新型表面贴装小信号二极管---40VBAS40L肖特基二极管和100VBAS16L。这两款二极管节省空间,提高了散热性能,适用于汽车和工业应用,两款二极管均提供AEC-Q101认证...
电路保护领域的全球力特公司的迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员——专为超低正向压降(VF)设计的硅肖特基器件。2016年3月15至17日,在中国电子元器件行业的展览会慕尼黑上海电子展上,这种新型的DST系列肖特基势垒整流器将在展示产品
电路保护领域的全球力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列:MBR系列肖特基势垒整流器(标准肖特基)是基于硅肖特基二极管技术的器件;DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度。MBR系列肖特基势垒整流器DUR系列超快整流器这两个
Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DLLFSD01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设,适用于液晶显示器、便携式电子产品,以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新
开关二极管特性开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管开关参数主要参数正向电流:二极管正向导通电流的允许值,在使用时不能超过这一数值。反
● 9至75V和43至160V输入可在工业和铁路市场找到广泛应用 ● 3.3V、5V、12V、15V、24V和48V输出,功率高达40W ● 2 x 1in包封封装可在恶劣条件下可靠运行 Flex电源模块(Flex Power Modules)现面向工业和铁路行业推出PKE-A系列DC-DC电源模块,进而扩大其产品范围,以便满足这些...
二极管!虽然是最基本的一个电子元件,却也是经常被我们无视的一个元件!对于最普通的二极管,大家可能仅仅知道有限的几种用途,整流、防反、降压——你知道二极管的开关作用吗? 基本开关作用 最基本的开关电路所示,在这个电路中,二极管的两端分...
1检测小功率晶体二极管A判别正、负电极(a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即
开关二极管: MAXIMUM RATINGS额定值: THERMAL CHARACTERISTICS热特性 OFF CHARACTERISTICS截止电特性 PDF下载:风华FHD99(SOT-23)贴片式开关二极管规格书.rar
摘 要: 分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面...