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品牌:先科 型号:M*T3904 应用范围:放大 功率特性:*率 频率特性:变频 *性:PNP型 结构:点接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 特征频率:233（MHz） 集电*允许电流:3423（A） 集电*允许耗散功率:222（W） 营销方式:代理 产品性质:新品现有大量库存，原装ST，欢迎定购！*！
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品牌:国产 型号:全系列 应用范围:放大 功率特性:小功率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装 特征频率:1（MHz） 集电*允许电流:1（A） 集电*允许耗散功率:1（W） 营销方式:* 产品性质:新品本公司经营各种品牌直插、贴片三*管，欢迎来电咨询！
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新型AEC-Q101认证的器件，采用SOP-4微型扁平封装传输5mA正向电流Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器---VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5 mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了30%的PCB空间。 VOMA617A的设计旨在适用于各种汽车...
昨日，一则报道称“Diodes美国晶圆厂发生火灾事故，将影响全球二三极管供应链。”报道详细指出，作为全球的分立、逻辑、模拟及混合信号半导体产品的制造商和供应商的Diodes（达尔科技）位于美国密苏里州的Diodes位于美国密苏里州的Lee'sS
内部人士爆料，Diodes（达尔科技）美国一工厂因设备老化，出现冒烟起火事故。事件发生后，惊动了美国消防警报，现已被要求停产整改。爆料人士表示，火灾事故已求证过Diodes的代理商PM，并且ONSEMI也证实了消息属实。随后，小编终于在外网找到消息
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起
导读：中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCDTV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机（DSC）、手机，汽车电子，智能手机等终端产品需求量上升的强大助力，而3G建设等新产品新行业的的快速发展，进而带动上游半导体三极管的市场成长，给电子行
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管，以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a)、(b)所示为小功率管，图(c)所示为中等功率管，图(d)所示为大功率管。 图(b)(c)所...
S8050是一种常用的NPN型三极管，具有以下详细规格： 极性：NPN 封装类型：TO-92（常见的小型封装） 最大集电极电流（Ic）：700mA 最大集电极-基极电压（Vceo）：20V 最大功耗（Pd）：625mW 最大集电极-发射极电压（Vcesat）：0.5V（在Ic=50...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因...
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关...
在单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。PNP与NPN两种三极管使用方法上图中，横向左侧的引脚叫做基极b，有一个箭头的是发射极e，剩下的一个引脚就是集电极 c。首先来说一下NPN型，这种型号的三极管在用于开关状态时，大都是发射极接地，集电极接高电平，基极接控制信号。其次对于P...
