您是不是要找： DSEI60-10A
TIP42C
华奥DHA
TO220/TO252
无铅环保型
直插/贴片
管装/编带
中功率
中频
丹东华奥电子有限公司 成立与2001年，是从事汽车/摩托车专用集成电路（ASIC）和晶体管（TR）开发、设计、 生产的高科技企业。 <span style="color:#4C33E5;font-size:16...
电话：0415-6161228-17
手机：15942560290
BUB941ZT BU941ZB-263
DHA
TO-263-2L
无铅环保型
贴片式
防静电料管包装每管50PCS
大功率
低频
功率达林顿晶体管 BU941ZB BUB941ZT TO-263-2L贴片式封装 功率达林顿三极管BU941ZB主要应用于汽车高温高压电子电火器,线圈传感器、开关电源，内置保护二极管和瞬变二极管。ICM：30A，...
电话：0415-6161121
手机：13941550338
达林顿
*
TIP142/TIP147等TIP系列晶圆
硅(Si)
裸芯片／晶圆可根据需要封成TO-220、TO-263
我公司主要经销NPN外延平面達林頓晶體管芯片,货源稳定,质量*.我们将根据用户的需求意向,提供更详细的信息和产品样品.同型号芯片,我们有多种尺寸,可供不同厂家进行选用.芯片尺寸：3.5m...
电话：86 0415 3178696
裸芯片、晶圆
HS669A
硅(Si)
*
功率
*HS669A是利用外延工艺生产的NPN型三*管芯片*主要适用于低频功率放大器*芯片尺寸：0.8&times;0.8(mm2)*Icm=1.5A，Pcm=1W B*ft=140MHZ，Cob=14pF(耗散功率在TC=25℃可达20W)*...
手机：
品牌:DHA 型号:TIP142 TO-263 应用范围:达林顿 功率特性:大功率 频率特性:低频 *性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:树脂封装 集电*允许电流:10（A） 集电*允许耗散功率:80（W） 营销方式:* 产品性质:*功率达林顿晶体管TIP142（TO-263） TIP142（NPN）功率达林顿晶体管，内设续流二*管,主要应用于...
电话：0415-6161121
品牌:－ 型号:2SC1815、2SA1015 应用范围:放大 功率特性:*率 频率特性:中频 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装 特征频率:80（MHz） 集电*允许电流:0.15（A） 集电*允许耗散功率:0.25（W） 营销方式:现货 产品性质:*我公司经销高频放大环境额定双*性晶体管芯片/晶圆2SC1815（PNP）、2SA1015（NPN），质量*。我们...
电话：0415-3178696
新型AEC-Q101认证的器件，采用SOP-4微型扁平封装传输5mA正向电流Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器---VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5 mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了30%的PCB空间。 VOMA617A的设计旨在适用于各种汽车...
昨日，一则报道称“Diodes美国晶圆厂发生火灾事故，将影响全球二三极管供应链。”报道详细指出，作为全球的分立、逻辑、模拟及混合信号半导体产品的制造商和供应商的Diodes（达尔科技）位于美国密苏里州的Diodes位于美国密苏里州的Lee'sS
内部人士爆料，Diodes（达尔科技）美国一工厂因设备老化，出现冒烟起火事故。事件发生后，惊动了美国消防警报，现已被要求停产整改。爆料人士表示，火灾事故已求证过Diodes的代理商PM，并且ONSEMI也证实了消息属实。随后，小编终于在外网找到消息
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起
导读：中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCDTV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机（DSC）、手机，汽车电子，智能手机等终端产品需求量上升的强大助力，而3G建设等新产品新行业的的快速发展，进而带动上游半导体三极管的市场成长，给电子行
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管，以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a)、(b)所示为小功率管，图(c)所示为中等功率管，图(d)所示为大功率管。 图(b)(c)所...
S8050是一种常用的NPN型三极管，具有以下详细规格： 极性：NPN 封装类型：TO-92（常见的小型封装） 最大集电极电流（Ic）：700mA 最大集电极-基极电压（Vceo）：20V 最大功耗（Pd）：625mW 最大集电极-发射极电压（Vcesat）：0.5V（在Ic=50...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因...
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关...
在单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。PNP与NPN两种三极管使用方法上图中，横向左侧的引脚叫做基极b，有一个箭头的是发射极e，剩下的一个引脚就是集电极 c。首先来说一下NPN型，这种型号的三极管在用于开关状态时，大都是发射极接地，集电极接高电平，基极接控制信号。其次对于P...
