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无锡固电ISC 供应三极管BU323

无锡固电ISC 供应三极管BU323
无锡固电ISC 供应三极管BU323
  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    ISC

  • 型号/规格:

    BU323

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • 极性:

    NPN型

  • 结构:

    平面型

  • 封装形式:

    直插型

  • 封装材料:

    金属封装

金牌会员 第 9
  • 企业名:无锡固电半导体股份有限公司

    类型:生产制造商

    电话: 0510-85346300

    手机:15961889150

    联系人:潘小姐

    QQ: QQ:3003893898

    微信:

    邮箱:mdc@iscsemi.com

    地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号

商品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 350V(Min.)

·High Reliability

 

 

APPLICATIONS

·Automotive ignition

·Switching regulator

·Motor control applications

 

 

Absolute maximum ratings (Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

500

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

350

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

8

V

IC

Collector Current- Continuous

10

A

ICM

Collector Current-Peak

16

A

IB

Base Current

3

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

175

W

Tj

Junction Temperature

200

Tstg

StorageTemperature Range

-65~200

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 0.2A; IB= 0; L= 10mH

350

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 3A; IB= 60mA

 

 

1.5

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 6 A; IB= 120mA

 

 

1.7

V

VCE(sat)-3

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 10 A; IB= 300mA

 

 

2.7

V

VBE(sat)-1

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 6 A; IB= 120mA

 

 

2.2

V

VBE(sat)-2

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 10 A; IB= 300mA

 

 

3.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 10A ; VCE= 6V

 

 

2.5

V

ICER

Collector Cutoff Current

VCER= RatedVCER;RBE= 100Ω

 

 

1.0

mA

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= RatedVCBO; IE= 0

 

 

1.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 6V; IC= 0

 

 

40

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 3A; VCE= 6V

300

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 6A; VCE= 6V

150

 

2000

 

hFE-3

DC Current Gain

IC= 10A; VCE= 6V

50

 

 

 

VECF

C-E Diode Forward Voltage

IF= 10A

 

 

3.5

V

COB

Output Capacitance

IE= 0; VCB= 10V; f= 100kHz

 

165

 

pF

Switching Times

ts

Storage Time

VCC= 12V; IC= 6A,

IB1= -IB2= 0.3A

 

 

15

μs

tf

Fall Time

 

 

15

μs

 

联系方式

企业名:无锡固电半导体股份有限公司

类型:生产制造商

电话: 0510-85346300

手机:15961889150

联系人:潘小姐

QQ: QQ:3003893898

微信:

邮箱:mdc@iscsemi.com

地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号

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