H10N60F
HJ/华昕
TO-220F
无铅环保型
直插式
1000/盒
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
0755-83364431
手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
产品型号:H10N60F
应用
* 开关模式电源
* 不间断电源
* 高速电源开关
特点
* H10N60F是高电压N沟道增强模式功率MOSFET芯片制造中先进的硅外延工艺
* 先进的高端方案提供增强电压阻断能力
* 雪崩能量
* 源漏二极管恢复时间比较离散快速恢复二极管;
* 打包的产品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC转换器和PWM Hbridge电机驱动器
封装:TO-220F
品牌:HJ/华昕
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
通道极性:N沟道
描述:H10N60F,N场,600V,10A,1Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
MOS/场效应管发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
0755-83364431
手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
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邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室