否
国产
2SC5200/2SA1943
功率
硅(Si)
NPN型
平面型
直插型
塑料封装
企业名：富阳创博科技有限公司
类型：生产加工
电话： 0571-63342995
联系人：周柏泉
地址：浙江杭州后周路8-1号
型号：2SC5200/2SA1943
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-*L
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | &plu*n;230 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | &plu*n;230 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | &plu*n;5 | V |
集电*电流 | IC | &plu*n;15 | A |
基*电流 | IB | &plu*n;1.5 | A |
耗散功率 | Pc | 150 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCB=&plu*n;230V,IE=0 | — | — | &plu*n;5.0 | uA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEB=&plu*n;5V,IC=0 | — | — | &plu*n;5.0 | uA |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC=&plu*n;50mA, IB=0A | &plu*n;230 | — | — | V |
直流电流增益 | hFE1 | Vce=&plu*n;5V Ic=&plu*n;1A | &plu*n;55 | — | &plu*n;160 |
|
hFE2 | Vce=&plu*n;5V Ic=&plu*n;7A | &plu*n;35 | &plu*n;60 | — | ||
集电*-发射*饱和电压 | VCE(sat) | IC=&plu*n;8A, IB=&plu*n;0.8A | — | &plu*n;0.4 | &plu*n;3.0 | V |
基*-发射*饱和电压 | VBE | VCE=&plu*n;5V, IC=&plu*n;7A | — | &plu*n;1.0 | &plu*n;1.5 | V |
特征频率 | fT | Vce=&plu*n;5V，Ic=&plu*n;1A | — | 30 | — | MHz |
a:脉冲测试 | ||||||
"
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