JIANGSU CHANGJIANG ELE*RONICS TECH*LOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A44 TRANSISTOR（ NPN ）
FEATUR*
Power dissipation
PCM : 0.625 W （Tamb=25℃）
Collector current
ICM : 0.2 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 400 V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELE*RICAL CHARA*ERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA ， IE=0 400 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1 mA , IB=0 400 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA， IC=0 5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=400 V , IE=0 0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCE=400 V , 5 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 4 V , IC=0 0.1 μA
HFE（1） VCE=10V , IC=10 mA 80 300
DC current gain HFE（2） VCE=10V, IC=1mA 70
HFE（3） VCE=10V ,IC=100 mA 60
VCE(sat) IC=10 mA, IB=1mA 0.2 V
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=50 mA, IB=5mA 0.3 V
Base-emitter sataration voltage VBE(sat) IC=10 mA, IB= 1 mA 0.75 V
Transition frequency f T
VCE=20V, IC=10mA
f =30MHz
50 MHz
1 2 3
TO—92
1.EMITTER
2.BASE
3. COLLE*OR

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