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FQPF8N60C

FQPF8N60C

FQPF8N60C

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FQPF8N60C
应用范围：
放大
材料：
硅(Si)
*性：
PNP型
击穿电压VCBO：
600（V）
集电*允许电流ICM：
7.5（A）
集电*耗散功率PCM：
48（W）
结构：
点接触型
封装形式：
直插型
封装材料：
塑料封装

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普通会员

企业名：深圳市金广顺科技有限公司

类型：经销商

电话：

联系人：孔维年

地址：广东深圳中国广东深圳市南山区创业路中兴工业城10栋二楼8228

产品分类

电源IC(9)
∟ LED驱动IC(7)∟ 稳压IC(2)
二极管(113)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(3)∟ 整流二极管(5)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(15)∟ 肖特基二极管(16)
三极管(82)
∟ 功率三极管(3)∟ 低噪声三极管(22)∟ 复合(达林顿)三极管(7)∟ 带阻三极管(1)
场效应管MOSFET(81)
∟ MOSFET(51)∟ 结型场效应管(1)
单片机(1)
放电管(1)
∟ 其他放电管(1)
光电子/光纤/激光(6)
∟ 光电光耦合器(光耦)(6)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

FQP8N60C, FQPF8N60C

TO-220AB

High Voltage Switches for Power Processing

Design/Process Change Notification 26/June/2007

50

分离式半导体产品

FET - 单路

QFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V

600V

7.5A

4V @ 250µA

36nC @ 10V

1255pF @ 25V

48W

通孔

TO-220-3 整包

管件

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类型：经销商

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联系人：孔维年

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