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场效应 IRLR8715*RLPBF

场效应 IRLR8715*RLPBF

场效应 IRLR8715*RLPBF

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRLR8715*RLPBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-INM/*组件
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

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普通会员

企业名：深圳市福田区时代超想电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：赵远明

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区振华路高科德电子市场52873（即K2电梯旁）

产品分类

电源IC(3)
∟ 稳压IC(3)
二极管(44)
∟ 整流二极管(8)∟ 快/超快/特快恢复二极管(7)∟ 瞬态(变)抑制二极管(2)∟ 肖特基二极管(12)∟ 其他二极管(3)
三极管(18)
∟ 功率三极管(7)∟ 开关三极管(1)∟ 低噪声三极管(7)∟ 复合(达林顿)三极管(1)∟ 其他三极管(1)
场效应管MOSFET(52)
∟ MOSFET(45)
可控硅IGBT(3)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(2)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
电源/稳压器(5)
∟ 模块电源/电源模块(1)∟ LED( PDP、LCD)电源(3)
石英晶体器件(2)
∟ 贴片晶振(1)

新品上架

商品信息

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.4 毫欧 @ 21A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：51A

联系方式

企业名：深圳市福田区时代超想电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：赵远明

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区振华路高科德电子市场52873（即K2电梯旁）

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