REN*AS/瑞萨
RJH60F5DPQ-A0
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
20（V）
类型：经销商
电话：
手机：13122912667
联系人：张海波
地址：上海中国 上海市闵行区 莲花南路1108弄58号202
∟ 结型场效应管(1)
RJH60F5DPQ-A0 瑞萨 可以代替*童的FGH40N60SFD 英飞凌的IKW30N60T
Collector to emitter voltage VC* 600 V
Gate to emitter voltage VG* &plu*n;30 V
Collector current Tc = 25 °C IC 80 A
Tc = 100 °C IC 40 A
Collector peak current ic(peak) Note1 160 A
Collector to emitter diode forward peak current iDF(peak) Note2 100 A
Collector dissipation PC 260.4 W
Junction to case thermal impedance (IGBT) ?j-c 0.48 °C/W
Junction to case thermal impedance (Diode) ?j-cd 2.0 °C/W
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature Tstg –55 to 150 °C
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