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FIR12N60 MOSFET,代理美国FIRST场效应管MOSFET

  • 型号/规格:

    FIR12N60

  • 品牌/商标:

    美国FIRST

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

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VIP会员 第 11
  • 企业名:深圳市凌云微科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83592325

    手机:15818510774

    联系人:钟丽莎

    QQ: QQ:2355873790

    邮箱:sales3@lanoshk.com

    地址:广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706

商品信息

  场效应管(MOSFET)工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

  在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

 

  我公司代理美国FIRST SEMICONDUCTOR,ON SEMICONDUCTOR,上海XLSEMI,常州LYSEMI等品牌,分销FAIRCHILD,IR,ST,TI等国际知名品牌。产品为二极管、三极管、场效应管、肖特基、快恢复,可控跬,IGBT,整流器,集成电路等应用领域涵盖开关电源,UPS,逆变器,小家电,工控,安防,医疗设备,汽车电子,LED照明,消费类电子、电脑及周边产品等等。

  基於以上的优厚条件,凌云国际与国际知名的客户和厂商一直维持深远友好的业务关系。除巩固现有的业务关系外,近年来,公司亦不断扩充产品线,代理国内外多个品牌,以迎合瞬息万变之电子产品市场的需求。

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