TOS日本东芝
*缘栅MOSFET
MIX/混频
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
12（V）
8（V）
2（μS）
2（pF）
3（dB）
15（mA）
20（mW）
类型：服务型
电话： 13725505885
联系人：李光秋
地址：广东深圳中国 广东 深圳 中国 广东 深圳市 福田区中航路新亚洲电子市场4C012a室；IC 二三极管专营门市：新亚洲电子商城二期一楼N1A167 公司地址：深圳市福田区深南中路南光捷佳大厦1908室
产品的详细情况
型号: 2SK2698
EOL announced
产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性
属性值条件部件型号2SK2698 *性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)58 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.4 Ω 封装TO-*(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)
类型：服务型
电话： 13725505885
联系人：李光秋
地址：广东深圳中国 广东 深圳 中国 广东 深圳市 福田区中航路新亚洲电子市场4C012a室；IC 二三极管专营门市：新亚洲电子商城二期一楼N1A167 公司地址：深圳市福田区深南中路南光捷佳大厦1908室
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