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MOS管场效应管

(共找到“57”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
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  • 型号/规格:

    AON6512

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 封装形式:

    DFN

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    SVF2N65F

  • 品牌/商标:

    士兰微

二极管MOS管场效应管士兰微SVF2N65F SVF2N65F .N.MJ F-Cell™系列高压MOS产品 SVF1 N60M.MJ.B.D.N SVF2N60T.F.M. MJ.D.N.NF SVF2N65F.N.MJ SVF2N70F.M.D.NF.MJ SVF2N80AD SVF3N80T.F.M.MJ.D SVF4N60T.F.M.M...

  • 型号/规格:

    5817-5819 SOD123

  • 品牌/商标:

    DCY

  • 封装形式:

    SOD123

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    CJ2306

  • 品牌/商标:

    长电

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    FQD7N10L

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AO7600

  • 品牌/商标:

    AO

  • 封装形式:

    SC70-6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    FNK08N03C

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-252-2L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    13N50

  • 品牌/商标:

    仙童

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    MAX809REUR

  • 品牌/商标:

    MAXIM

RoHS规范:符合 产品描述:MAX809REUR+T, 安装类型:表面贴装 宽度:1.4mm 封装类型:SOT-23 尺寸:3.04 x 1.4 x 1.02mm 引脚数目:3 最低工作温度:-40°C 最大工作电源电压:5.5 V 最大监控电压:2.76V 最小工...

  • 型号/规格:

    CET9435A

  • 品牌/商标:

    CET

  • 封装形式:

    SOT-223

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    ROHM/罗姆

  • 型号/规格:

    2SK3065

  • 封装:

    SOT-89

  • 批号:

    2011+2012+原装现货

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    Analog Power (美商亞柏半導體)

  • 型号/规格:

    AM2322N

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQPF6N70C FQPF6N70

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    RUICHIPS

  • 型号/规格:

    RU4099R

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    韩国信安Truesemi

  • 型号/规格:

    IRF640

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 型号/规格:

    MDF9N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻抗变换

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌:

    VISAY

  • 型号:

    2301

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

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