H26M64103EMR
SK HYNIX
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S5PV210AH-A0
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Toshiba/东芝
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H5TC2G63GFR-PBA
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H5TQ2G43EFR-xxC,H5TQ2G83EFR-xxC是一个2GB的CMOS双数据速率III(DDR3)同步DRAM,非常适合于需要大量的记忆体密度和高带宽主存储器的应用。SKHYNIX2GBDDR3SDRAM芯片提供完全同步操作两个时钟的上升沿和下降沿。所...
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EM638165TS-7G
通信IC
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K9F2808UOC-YCBO
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16M x 8 Bit NAND Flash Memory ( FLASH内存芯片K9F2808UOC-YCBO) FEATURES• Voltage Supply : 2.7 ~ 3.6 V• Organization - Memory Cell Array -(16M + 512K)bit x 8bit - Data Regist...
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SK 海力士占据 DRAM 市场 35% 的份额,该公司计划在未来三年投资 103 万亿韩元(约合 746 亿美元),进一步加强对内存业务的控制,同时更加关注人工智能技术。这项投资是该公司目前正在京畿道建设的 900 亿美元“大型晶圆厂综合体”的一部分。 除了这笔巨...
目前有两种类型的芯片供应过剩:NAND 和 DRAM 内存。这些用于笔记本电脑等设备以及数据中心的服务器。 供应过剩是在芯片短缺的情况下各公司开始囤积芯片以增加库存之后出现的。但随后经济放缓。对智能手机和笔记本电脑等产品的需求大幅下降,尤其是在疫情...
最新的瑞萨DDR5芯片能提高服务器和客户端的传输速度。 在DDR5上,瑞萨公司已经宣布了两款新的DDR5 DIMM芯片,用于在新兴应用中提高服务器和客户端性能。目前,在冯诺依曼架构限制下,DDR4似乎已经到达了极限,为了解决内存墙问题,需要内存尽快升级。 ...
据DIGITIMES报道,业内人士透露,三星已经降低了其4GbDDR4芯片价格,这是该公司进一步加快行业从DDR3向DDR4过渡的战略举措。 消息人士表示,三星继续缩减了其DDR3芯片产量,同时提供更高性价比的DDR4芯片价格,以吸引仍然需要DDR3内存的应用,如消费电子产品...
电子公司SahasraSemiconductors表示,它预计将成为第一家在印度设立存储芯片组装、测试和封装部门的公司,并在12月前开始销售本地制造的芯片。SahasraSemiconductors董事长兼董事总经理AmritManwani告诉PTI,该公司计划投资75亿卢比在拉贾斯坦邦的Bhiwadi建立...
具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低