P-DIT/塑料双列直插
2N60
N-FET硅N沟道
L/功率放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0755-83522815
IR/国际整流器
IRFB4115PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:755-27934303
OC
IRF630
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
200(V)
电话:0571-63342995
AOS/美国万代
AO8822
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0755-36812357
P-DIT/塑料双列直插
BF99N50
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
比亚迪
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
电话:0755-27597068
手机:13510927473
INFINEON/英飞凌
SPP04N60C3
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPP04N60C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(&...
电话:0755-83251336
CHIP/小型片状
mos管8025
N-FET硅N沟道
MOS-ARR/陈列组件
泽胜
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0769-86147680
ST/意法
STD150NH02L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-83752188
ATMEL/爱特梅尔
2334
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
WAFER/裸芯片
M*金属半导体
电话:0755-29112251
P-DIT/塑料双列直插
IRFB4410ZPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
FAIRCHILD/*童
1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0769-85160256
NCE(新洁能)
NCE0106G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:755-29743120
比亚迪
6N60
品牌/商标 比亚迪 型号/规格 6N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&m...
电话:755-83228419
APM/茂达
APM4953
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
LLCC/无引线陶瓷片载
GE-N-FET锗N沟道
电话:0755-25081563
ST/意法
F13NM50N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0769-82287848
品牌:SI*-IC 型号:SE8209 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 低频跨导:60(μS) *间电容:800...
电话:021-33932402
Alpha/阿尔法
AO3415
功率
PNP型
无(A)
无(W)
无(MHz)
键型
电话:755-82513889
ON/安森美
11N03
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-82543799
规格:2500psc 品牌:瑞信 产地:台湾 型号:SI2301 SI2302 SI2300 SI2305 SI2306 SI2312 公司主营产品MOS管 电源管理IC 如:SI2301 SI2302 SI2300 SI2305 SI2306 SI2312 SI2304 AO3400 AO3401 AO3402 AO3406 AO3407 AO3...
电话:17783668
2022年5月17日至19日,第十届中国电子信息博览会将在深圳会展中心举办。展会提供了全方位的展览展示平台,包含了电子信息产业zui新技术、产品和服务,提供了全产业链前沿资讯、发展趋势、潜在商机,协助各大企业、行业平台品牌进行推广,尽在CITE 2022。 ...
据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美
据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美
威世(VishayIntertechnology,Inc.)近日宣布推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET---SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-24
随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体(NYSE:FCS)开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,用D S间断开的线段表示Vcs=0时...
耗计算式计算: × RDS(on) × K × 截止损耗计算: × IDSS ×( 1-Don ) 会依 VDS(off) 变化而变化,如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算: 开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_...