0
1210+
硅(Si)
是
3
MURD320L
开关管
ON/安森美
电话:86 0755 82567800
手机:13826553136
-65~180(℃)
新年份
硅(Si)
是
70
1200
70HFR120
整流管
手机:15920085281
整流管
是
FAIRCHIL
M*D1404-NL
SOT-23-3
-55℃/+150℃(℃)
0.35 W
SOT-23-3
手机:
快恢复二*管
否
MIC
SF28
硅(Si)
DO-15
-65~+150(℃)
1
手机:15817468549
DSK12-DSK110
SR
SOD-123L
无铅*型
贴片式
单件包装
电话:0755-82538080
手机:18922843882
US1K(℃)
US1K
MDD
2013+
硅(Si)
否
2
30
手机:
105(℃)
1
B140
硅(Si)
MIC
肖特基管
2
否
手机:
是
*
MUR3020PT、MUR3020WT
放大
硅(Si)
NPN型
点接触型
直插 / 贴片
手机:15817922869
整流桥、高压硅
是
MIC
*6S
硅(SI)
1
SOP4
111(℃)
手机:
国产
MTC200A
单向
四*
金属封装
平板形
手机:13410597545
国产
ZP 100A
单向
二*
金属封装
螺旋形
高频(快速)
不带散热片
手机:13825782455
是
天整 上整
ZP 2CZ
电机
整流管
小功率
低频
见下图(V)
手机:
整流管
否
RCM
1N5819
硅(Si)
20V
DO-41
0(℃)
手机:
否
整流管
否
长电
2CZ4006
硅(Si)
见详细说明
见详细说明
手机:
P-DIT/塑料双列直插
STPS30H100CW
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
ST/意法
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
SAK日本三肯
FCQ20A04
结型(JFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
小功率
60(V)
16(A)
60(V)
60(V)
电子管
高频
电源
手机:
5819 SS14
硅(Si)
TOSHIBA/东芝
肖特基管
否
DO-214
手机:
肖特基管
是
MIC
肖特基二*管SS34
磷化镓(GaP)
40V
DO-214AC
-55-150(℃)
手机:
否
整流管
是
SANKEN
FMG22S
硅(Si)
.
.
手机:
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...