0(℃)
0
2012+
磷(P)
否
0
SR340
整流管
手机:
45V
*R2545*
硅(Si)
Vishay/威世通
整流管
3
是
TO-220
手机:15626790473
CER-DIP/陶瓷直插
HFA25PB60
SIT静电感应
NF/音频(低频)
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
否
ST/意法
2SK3568
功率
塑封
平面型
TO-220
塑料封装
手机:
-65°C 到 +150°C(℃)
0.1
2013
硅(Si)
是
2
BAS316
小信号
手机:
否
整流管
否
国产
*6S
硅(Si)
600V-1000V
电源
手机:13570885623
40V
1N5825
硅(Si)
ON/安森美
整流管
是
SMC
0N/安森美
手机:
否
整流管
否
MIC
1N4007
硅(Si)
1A 1200V
充电器
手机:
是
整流管
是
MIC
6A06
硅(Si)
1
1
手机:
Vishay/威世通
SI4730EY
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
手机:15889694362
整流管
是
MDD
S3K
硅(Si)
原厂规格
原厂规格
原厂规格
手机:
是
整流管
是
MIC
1N5408
硅(Si)
逆向电压100V-1000V
*灯,镇流器,电源开关
手机:18926425121
整流管
是
ON/安森美
MUR3060PTG
硅(Si)
TO−218 , TO-247 , TO-*
-65 to +175(℃)
50mw
手机:
1(℃)
1
RS1B
硅(Si)
DIOD*/美台
整流管
2
否
手机:
、(V)
、(A)
、(V)
、(V)
半桥
否
多
KBPC3510
手机:
/(℃)
/
/
硅(Si)
是
3
/
/
手机:13536862667
1A100V
1N4002
MIC
整流管
2
否
DO-41
1A100V
手机:
--(℃)
--
FFPF10UA60ST
锗(Ge)
FAIRCHILD/*童
整流管
--
是
手机:13510199770
ST/意法
20H100
整流管
点接触型
TO-220
直插型
金属封装
大功率
手机:
整流管
否
MIC
1N4007 IN4007
硅(Si)
21
DO-41
105(℃)
手机:13530199175
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...