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整流管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    IN4004

  • 品牌/商标:

    PHI

  • 封装形式:

    DIP

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    小功率

  • 整流电流:

    1.0A

  • 型号/规格:

    FR107

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 封装形式:

    DO-41

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 整流电流:

    A

  • 深圳振兴电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82570370

    手机:13798432353

  • 型号/规格:

    SS12-SS14

  • 品牌/商标:

    星海、东芝

  • 封装形式:

    塑料封装

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片

  • 整流电流:

    A

  • 反向电压:

    V

  • 包装方式:

    其它

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 型号/规格:

    MURS160

  • 产品类型:

    快恢复二*管

  • 结构:

    点接触型

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    贴片型

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 功率特性:

    *率

  • 型号/规格:

    MBR10150FCT

  • 品牌/商标:

    长电

产品简介: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半...

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    AGILENT

  • 型号/规格:

    MUR120

  • 材料:

    砷(As)

  • 是否提供**:

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    SR

  • 型号/规格:

    *045F to K*110F

  • 型号/规格:

    MBR2045 B2045

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 汕头华丰电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:13192369995

  • 型号/规格:

    1N4004

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 封装形式:

    DO-41

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    0.5A肖特基整流管B0530W-7-F SOD123

  • 品牌/商标:

    DIOD*美台

  • 封装形式:

    SOD123

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 深圳市鼎集电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82723971

    手机:13590301695

  • 型号/规格:

    M4

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    DO-214AC

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 整流电流:

    400V

  • 反向击穿电流:

    1A

  • 深圳市诺信旺电子商行

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-15919715553

    手机:15919715553

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 型号/规格:

    1N5408

  • 材料:

    硅(Si)

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    1000

  • 封装:

    DO-27

  • 工作温度范围:

    10(℃)

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    DIOD*/美台

  • 型号/规格:

    S2BA-13-F

  • 材料:

    硅(Si)

  • 备注:

    .

  • 用途:

    .

  • 主要参数:

    .

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    MR756RLG

  • 材料:

    硅(Si)

  • 备注:

    +

  • 用途:

    +

  • 主要参数:

    6A,600V

  • 产品类型:

    整流管

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 型号/规格:

    HER604

  • 材料:

    硅(Si)

  • 功率特性:

    大功率

  • LED封装:

    其他

  • 封装形式:

    直插型

  • 结构:

    点接触型

  • 产品类型:

    快恢复二*管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    MUR105,MUR110,MUR115,MUR120,MUR130,MUR140,MUR160,M

  • 材料:

    硅(Si)

  • 备注:

    原装现货

  • 用途:

    电源类

  • 主要参数:

    4A 600V

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    TRR

  • 型号/规格:

    M1

  • 材料:

    硅(Si)

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    50

  • 封装:

    DO-214AC

  • 工作温度范围:

    -50~150(℃)

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    MIC

  • 型号/规格:

    1N4937

  • 材料:

    硅(Si)

  • 备注:

    1

  • 用途:

    1

  • 主要参数:

    1

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    M4/1N4004 M7/1N4007 M1/1N4001

  • 材料:

    硅(SI),硅(SI)

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    *

  • 封装:

    SMA

  • 工作温度范围:

    *(℃)

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    75V

  • 批号:

    13+

  • 材料:

    硅(Si)

  • 是否*:

  • 针脚数:

    2

  • 正向平均电流,IF:

    150MA

  • 型号/规格:

    1N4148

  • 产品类型:

    整流管

整流管行业资讯

  • Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管

    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...

  • 整流管与稳压管的参数和选择原则

    电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结

什么是整流管?

  • 整流管也就是二极管,一般通过的电流较大。利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
  • 整流管

整流管技术资料

  • 同步整流管的主要参数/SR的阻断电压

    与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。  表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。  表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较  由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...

  • 同步整流管的主要参数/SR的体二极管恢复时间trr

    功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正

  • 同步整流管的主要参数/R的功耗

    SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示:  式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值;   RDS(on)——功率MOS管的通态电阻;   第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率;   Cin——等效输人电容; UG...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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