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双极晶体管

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双极晶体管行业资讯

  • Toshiba - 双极晶体管有助于节省电路板空间

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)扩大了产品线,推出12款双极晶体管产品,用于功率器件栅极驱动电路、消费电子和工业设备电流开关以及LED驱动电路。新品包括采用SC-62封装(东芝自称:PW-Mini)的"TTA011,TTA012,TTA013,TTC019,TTC020和TTC021...

  • IR全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管

    功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止沟道

  • IR 推出绝缘栅双极晶体管在线选择工具优化电源管理设计

    国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计,包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。IR全新的IGBT在线选择工具能评

  • Diodes推出全新20V NPN和PNP双极晶体管

    Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces

  • ST推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管

    近日,意法半导体(ST)推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT),新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D600VPowerMESH),用于工作频率超过20kHz

什么是双极晶体管?

  • 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。
  • 双极晶体管

双极晶体管技术资料

  • 双极晶体管结构设计

    双极晶体管结构  上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号,电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型,箭头的方向始终从正 P 型区域指向负 N 型区域,与标准二极管符号完全相同。  双极晶体...

  • 双极晶体管静态工作的特性曲线和测试电路

    双极晶体管的静态工作特性是指它在特定接法中的输入特性,输出特性和电流增益特性。 一个晶体管共基极,共发射极和共继点击三种接法,因而有三组工作热性曲线来完整地描述其工作性能,由于晶体管的工作特性是其内部载流子运动的外部表现,起作用的因素很多,因而分散性较大,即便是型号相...

  • IR发布全新第八代1200V IGBT平台

    功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。  全新的Gen8组件...

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