如今半导体圈最棘手的事莫过于摩尔定律即将终结，研究人员不得不寻找硅材料的替代者来提升半导体的性能，而碳纳米管就被认为是最有可能取代硅的材料之一。近日，美国威斯康星大学麦迪逊分校已经在这一材料的研发上取得了跨越式的突破，该校的材料学家成功研制了1英寸

碳纳米管将取代硅晶体管北京时间10月2日消息，据《财富》网络版报道，IBM已经开发了一种技术，将有助于半导体产业继续生产更快、效能比更高、集成度更高的芯片。IBM研究人员发明了在碳纳米管上移动电子的技术。碳纳米管直径是人类头发的万分之一，导电能力非

日立制作所开发出了在硅底板上制造的MOSFET栅电极上层叠Pt和Ti薄膜的氢气传感器。可在约1秒内检测浓度为1000ppm以上的氢气。还具有出色的耐热和耐湿性能。利用此次试制的氢气传感器进行的寿命加速试验结果表明，产品可以使用3年以上。传感器部分的

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG200

MIT（麻省理工学院）的工程技术人员将于当地时间本周一发表一篇有关晶体管技术方面的研究论文，他们希望能够在开启迷你电子产品方面发展到一个新的阶段。据MIT的工程师预计，硅晶体管的尺寸和性能在未来的10到15年之内将达到极限。因此，包括MIT在内的很