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场效应管

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源头工厂
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  • 系列:

    IC

  • 品牌:

    TOSHIBA

  • 型号:

    TPHR8504PL

  • 类型:

    通信IC

  • 电源电压:

    正常 标准

  • 功率:

    正常标准

  • 频率:

    正常 标准

  • 用途:

    仪器

  • 型号/规格:

    IRFZ48

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    金属封装

  • *类别:

    普通型

  • 型号/规格:

    IXFN60N60

  • 品牌/商标:

    IXYS

  • *类别:

    无铅*型

  • 金华星电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:其他
  • 地区:广东揭阳
  • 电话:0663-2564776

    手机:15362590872

  • 型号/规格:

    2SK2850

  • 品牌/商标:

    富士通

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IKW75N60T

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    DIP

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    *功率

  • 深圳市维奇电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:其他
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-13590350508

    手机:13590350508

  • 型号/规格:

    NTF5P03T3

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-223

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    *60AM-18F

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    2N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    K2544 K1117 K1118

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2sk2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    BUF460*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 型号/规格:

    K1723

  • 品牌/商标:

    MOT

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

    型号:未提供 厂家:未提供 封装:未提供供应:功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二*管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立,等*快速熔断...

    • 是否提供加工定制:

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRF7606

    • 应用范围:

      电解

    • 整流元件:

      可控硅/晶闸管

    • 功率特性:

      大功率

    • 频率特性:

      高频

    • 交流输入电压:

      220(V)

    • 型号/规格:

      2SC3306 2SC2625 D92-02 TOP223、IRFP450、P460 12NK90 20NA60 6N80 IRFBC30、9Z30 2SK11

    • 品牌/商标:

      IR ST 东芝 MOT *童 三星 FUJI

    • 封装形式:

      TO-220 TO-* TO-247 TO-264 ITO-220 FTO-220

    • *类别:

      普通型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      塑料袋包装

    • 柯钦(个体经营)

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:其他
    • 地区:广东汕头
    • 电话:0754-4494797

      手机:013556420792

    • 型号/规格:

      IRLR120NTRL

    • 品牌/商标:

      IR

    • 封装形式:

      塑料封装

    • *类别:

      普通型

    • 安装方式:

      贴片

    • 功率特征:

      小功率

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 品牌/商标:

      PHI IR ST SEC

    • 型号/规格:

      FS16SM-10

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      GEP/互补类型

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      MES金属半导体

    • 星光电子深圳厂

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:其他
    • 地区:广东广州
    • 电话:86075584825856

    • 品牌/商标:

      AUK

    • 型号/规格:

      AUK SMK0760 SMK0460

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      MW/微波

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      GE-P-FET锗P沟道

    • 苏州申浦电子有限公司

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:其他
    • 地区:广东广州
    • 电话:86051268271573-1005

      手机:13375199572

    • 品牌/型号:

      FAIRCHILD/FQP90N10V2

    • 类型:

      *缘栅型场效应管

    • 沟道类型:

      N沟道

    场效应管行业资讯

    什么是场效应管?

    •   场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。
    • 场效应管

    场效应管技术资料

    • 绝缘栅型场效应管的主要参数

      有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。  1.开启电压Ur  Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

    • 结型场效应管的主要参数

      1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

    • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例

      结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

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