IC
TOSHIBA
TPHR8504PL
通信IC
正常 标准
正常标准
正常 标准
仪器
电话:18929629886
手机:18929629886
2SK2850
富士通
TO-*
普通型
直插式
散装
大功率
电话:0754-86679013
手机:15989735439
IRFZ48
IR
金属封装
普通型
电话:0754-82330350
手机:13553379754
IKW75N60T
INFINEON(英飞凌)
DIP
无铅*型
直插式
卷带编带包装
*功率
电话:0755-13590350508
手机:13590350508
NTF5P03T3
ON(安森美)
SOT-223
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
电话:0755-83759925
手机:13147072887
Mitsubishi/三菱
*60AM-18F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:021-68361005
手机:18916576762
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
*
K2544 K1117 K1118
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13076321399
TOSHIBA/东芝
2sk2837
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
ST/意法
BUF460*
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
M*金属半导体
手机:
K1723
MOT
TO-*
无铅*型
直插式
散装
电话:010-62028649
手机:13582725580
型号:未提供 厂家:未提供 封装:未提供供应:功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二*管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立,等*快速熔断...
电话:010-82772263
是
IR/国际整流器
IRF7606
电解
可控硅/晶闸管
大功率
高频
220(V)
电话:0755-83251336
2SC3306 2SC2625 D92-02 TOP223、IRFP450、P460 12NK90 20NA60 6N80 IRFBC30、9Z30 2SK11
IR ST 东芝 MOT *童 三星 FUJI
TO-220 TO-* TO-247 TO-264 ITO-220 FTO-220
普通型
直插式
塑料袋包装
电话:0754-4494797
手机:013556420792
IRLR120NTRL
IR
塑料封装
普通型
贴片
小功率
盒带编带包装
电话:010-62552383
手机:13601352713
PHI IR ST SEC
FS16SM-10
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
GEP/互补类型
SMD(SO)/表面封装
MES金属半导体
电话:86075584825856
AUK
AUK SMK0760 SMK0460
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
电话:86051268271573-1005
手机:13375199572
FAIRCHILD/FQP90N10V2
*缘栅型场效应管
N沟道
电话:8602083302113
手机:13570419666
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...