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晶体

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晶体行业资讯

  • Mitsubishi-第5讲:SiC的晶体缺陷

    在SiC晶体中存在各种缺陷,其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错(SF)、以及刃位错(TED)、螺旋位错(TSD)、基面位错(BPD)和这些复合体的混合位错。就密度而言,最近质量相对较好...

  • Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管

    Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管,其中一半符合汽车标准。  Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管  跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A 电流以及 npn 和 pnp 极性。  该公司表示:“与 SOT89 相比,DFN2020D-3 封装器件的...

  • Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个...

  • Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更...

  • WAGO-半导体应用 | 万可为碳化硅晶体生长炉提供多种免维护电气连接方案

    碳化硅是第三代领先的半导体材料,拥有巨大的市场前景。客户需要集材料生产和装备研发为一体,不断提升碳化硅纯净度。万可端子为此晶体生长炉配电柜提供了多样免维护的连接方案。     万可端子在碳化硅晶体生长炉配电柜中具有许多优势,有助于提高晶体质...

什么是晶体?

  • 晶体(crystal)是有明确衍射图案的固体,其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。晶体中原子或分子的排列具有三维空间的周期性,隔一定的距离重复出现,这种周期性规律是晶体结构中最基本的特征。 固态物质分为晶体和非晶体。从宏观上看,自然凝结的、不受外界干扰而形成的晶体都有自己独特的、呈对称性的形状,如食盐呈立方体;冰呈六角棱柱体;明矾呈八面体等。 当晶体从外界吸收热量时,其内部分子、原子的平均动能增大,温度也开始升高,但并不破坏其空间点阵,仍保持有规则排列。继续吸热达到一定的温度──熔点时,其分子、原子运动的剧烈程度可以破坏其有规则的排列,空间点阵也开始解体,于是晶体开始变成液体。在晶体从固体向液体的转化过程中,吸收的热量用来一部分一部分地破坏晶体的空间点阵,所以固液混合物的温度并不升高。当晶体完全熔化后,随着从外界吸收热量,温度又开始升高。而非晶体由于分子、原子的排列不规则,吸收热量后不需要破坏其空间点阵,只用来提高平均动能,所以当从外界吸收热量时,便由硬变软,变成液体。玻璃、松香、沥青和橡胶就是常见的非晶体。
  • 晶体

晶体技术资料

  • 晶体三极管的结构和晶体管电流放大作用

    晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管,以下简称晶体管。  图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。  图(a)、(b)所示为小功率管,图(c)所示为中等功率管,图(d)所示为大功率管。  图(b)(c)所...

  • 石英晶体到底是什么?

    这是石英晶体的等效电路:  让我们明确一点:石英晶体就是石英晶体。如果你用锤子敲击晶体,它不会损坏电感器、电阻器和两个电容器。然而,石英晶体具有(在我看来相当神秘的)机电特性,这些特性导致晶体在电子电路中表现出类似上面所示的无源元件集合的行...

  • 表征石英晶体的频率偏差:频率容差、频率稳定性和老化

    几乎每个电子系统的可靠运行都依赖于准确的定时参考。石英晶体具有高品质因数,可提供可靠、稳定且经济高效的计时解决方案。作为一种机电器件,石英晶体不像电阻器、电容器和电感器等其他无源器件那么直观。它们是压电材料,将机械变形转换成其端子上的成比例...

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