GaN功率

GaN功率资讯

DRAPA出手,将GaN功率提高16倍,温度不变

据 RTX报道,公司旗下企业 Raytheon 已获得 DARPA 授予的一份为期四年、价值 1500 万美元的合同,以提高功率密度氮化镓晶体管的射频传感器的电子能力。报道指出改进后的晶...

分类:业界动态 时间:2023/11/22 阅读:542 关键词:GaN功率

ST的100W和65W VIPerGaN功率转换芯片节省空间提高消费电子和工业应用的能效

意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品,适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的...

分类:新品快报 时间:2023/5/19 阅读:303 关键词:功率转换芯片

GaN功率半导体的2023预测

GaNSystems对2023年做出了预测,涵盖功率半导体的供应链,以增加数据中心和电动汽车的可持续性法规。 “我们正处于功率GaN技术的转折点,”该公司表示。 随着电气化大趋...

分类:行业趋势 时间:2022/11/26 阅读:4100

Mouser - 贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器 为卫星通信提供优化解决方案

提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍,并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功...

时间:2022/9/28 阅读:90 关键词:电子

Mouser- 贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器满足射频卫星通信需求

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPA1314T 功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um 碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺 (QGaN15) 制造,并安装在高导热垫片上,是一...

时间:2022/9/28 阅读:120 关键词:电子

贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器 满足射频卫星通信需求

专注于引入新品并提供海量库存?的电子元器件分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货Qorvo?的QPA1314T功率放大器(PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um碳化硅基氮化镓(GaN-...

分类:新品快报 时间:2022/9/26 阅读:728

贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器为卫星通信提供优化解决方案

提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货Qorvo?QPA1724Ku/K波段氮化镓(GaN)功率放大器(PA)。该产品功率可达同...

分类:新品快报 时间:2022/9/15 阅读:905

英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆...

分类:名企新闻 时间:2021/9/9 阅读:1695

2021年第三代半导体有望高速成长,GaN功率器件产值年增90%

根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到地缘贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然而,受...

分类:行业趋势 时间:2021/3/17 阅读:19684

Mouser - TI LMG341xR050 GaN功率级在贸泽开售

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子即日起开始备货(TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能,可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高...

分类:名企新闻 时间:2020/4/15 阅读:1585 关键词:贸泽

GaN功率技术

意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计

意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计,并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。 VIPerGaN50 采用单开关拓扑,集成很多功能,包括内置电流采样和保护电路,采用...

新品速递 时间:2022/4/8 阅读:496

为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动...

设计应用 时间:2019/11/8 阅读:411

SiC/GaN功率开关完整的系统解决方案

新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电...

设计应用 时间:2018/6/22 阅读:520

GaN功率开关及其对EMI的影响探究

1月出席DesignCon 2015时,我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲,谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switchin...

技术方案 时间:2015/7/14 阅读:3645

Toshiba 推出Ku波段GaN功率型场效应管

东芝宣布已经开发出一个新的GaN(Gallium nitride)功率型场效应管(FET),用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围,当输出功率为65.4W时可达14.54GHz。这一新三极管的主要应...

新品速递 时间:2007/10/30 阅读:2111