您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

BAT

BAT资讯

BAT的智慧城市梦,该醒醒了

互联网巨头们将触手伸向以智慧城市为代表的泛安防领域的决心已经越来越明显了。   7月8日,国际知名数据咨询公司IDC发布《全球半年度智慧城市支出指南》,报告指出2023...

分类:业界动态 时间:2019/7/12 阅读:355 关键词:BAT

5G成BAT互联网巨头新战场

事实上,近年来,BAT等互联网企业与三大运营商的合作越发紧密,为5G时代的“融合”做了铺垫。而将放大镜架在BAT自身也有迹可循,去年三大巨头陆续实现组织架构改革,腾讯提出由消费互联网向产业互联网转型,阿里云事业群升级为阿里云智能...

分类:业界动态 时间:2019/6/11 阅读:227 关键词:BAT互联网

BAT的5G战场

在5G的战场上,BAT再次狭路相逢。  5G手机、5G应用层出不穷,随着5G正式商用落地临近,5G赛道上的参与者也进入了“赛跑”阶段。  据天眼查显示,百度、阿里、腾讯、B站...

分类:业界要闻 时间:2019/6/10 阅读:1016 关键词:5G战场

联想转型三年考:不做BAT 杨元庆再推3S战略

联想转型三年考:不做BAT 杨元庆再推3S战略   联想集团迫切希望得到外界的认可,以一扫前几年的业绩颓势。   “现在是联想的最好时刻。”5月23日,联想集团董事长兼C...

分类:业界动态 时间:2019/5/28 阅读:352 关键词:联想

CES自动驾驶趋理性:BAT主导战国时代商业化落地?

今年CES,企业对于自动驾驶的热情高涨在趋向理性,从此前直接将目标瞄准L4/L5的高级别自动驾驶,转为L2/L3级自动驾驶技术的落地。   当地时间1月14日,2019年北美车展拉开序幕,作为2019年的第一场大型国际车展,车企的热情却日益消减...

分类:行业趋势 时间:2019/1/15 阅读:409 关键词:自动驾驶

BAT投资AI已超硅谷巨头,北京成风投增长第一城

在今年的人工智能和机器学习投资竞赛中,中国最大的科技公司BAT、蚂蚁金服已经超过了硅谷的科技巨头。同时,虽然美国继续创造最大规模的创业和风险资本活动,但其占全球总...

分类:名企新闻 时间:2018/10/9 阅读:421 关键词:AI

真正的车联网尚未诞生 但为何BAT更适合当主力?

有天我下班,同一楼层的两个婆婆在电梯间很好奇我是做什么的?我说是从事互联网。其中一个婆婆指的自己的手机问,你是做手机的吗?我回答说不是的,她又问是做软件的吗?我又说不是,是做手机互联网上的媒体内容的。她们俩对视尴尬一笑,说...

分类:行业趋势 时间:2018/9/30 阅读:445 关键词:车联网

BAT抢进半导体产业 台媒:给中国芯片业带来新的翻转机会

台媒称,日前一则阿里巴巴投资半导体公司的消息,震惊各界。有人说,原来马云退休有比去教书更重要的事。   据台湾《联合报》9月21日报道,阿里巴巴CTO、达摩院院长张建...

分类:行业趋势 时间:2018/9/25 阅读:357 关键词:半导体产业中国芯片

BAT纷纷投身LoRa技术 中国物联网市场迎来加速发展

7月31日消息(岳明)LoRa Alliance(LoRa 联盟)与腾讯联合宣布,腾讯已在最高层面加入了LoRa联盟,进一步加快了LoRaWAN技术的采用。根据C114了解,此前中国另一互联网巨头阿里巴巴也已宣布发展LoRa技术,并且其在杭州和宁波建设的LoRa网...

分类:业界动态 时间:2018/8/1 阅读:188 关键词:物联网市场

BAT抢占自动驾驶入口:高精地图瞄准大数据服务

自动驾驶正全面向L3级迈进,作为L3、L4级等高级别自动驾驶核心部件,高精地图被认为是自动驾驶汽车必不可少的“基础设施”。而随着自动驾驶向商业化发展,包括BAT在内的图商们开始抢滩,相继发布了高精地图发展战略。   在传统汽车中...

分类:业界动态 时间:2018/7/31 阅读:157 关键词:自动驾驶

BAT技术

瑞士Abatron公司新推出BDI3000 BDM/JTAG仿真器

Abatron公司新推出BDI3000高速BDM/JTAG仿真器。这为成功BDI家族的仿真器产品增添了新的血液。BDI家族产品以高性能、灵活和极佳的产品质量享誉全球。BDI3000的BDM接口支持的处理器有ColdFire,PowerPC5xx/8

新品速递 时间:2008/1/30 阅读:4065

Search Battery推出容量0.9Ah的锂离子电池

离子电池已成为便携式设备,尤其是蜂窝电话的首选电源。SearchBattery公司顺应这种趋势,宣布全面提供最新款锂离子电池——SA1063448。这款新电池的标称容量为0.9Ah;额定电压为3.8V;内部阻抗范围为20Ω~60Ω。来源:小草

新品速递 时间:2007/12/17 阅读:1173

BAT54WT1G的技术参数

产品型号:BAT54WT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(V

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1365

BAT54T1G的技术参数

产品型号:BAT54T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(V)

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1513

BAT54SWT1G的技术参数

产品型号:BAT54SWT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1500

BAT54SLT1G的技术参数

产品型号:BAT54SLT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1325

BAT54LT1G的技术参数

产品型号:BAT54LT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(V

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1303

BAT54HT1G的技术参数

产品型号:BAT54HT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(V

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1409

BAT54CXV3T1G的技术参数

产品型号:BAT54CXV3T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压V

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1504

BAT54CWT1G的技术参数

产品型号:BAT54CWT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)(pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR(Max)(nA):2000最大反向漏电流IR对应的电压VR(

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1376

BAT产品