SK海力士美国先进封装厂动工，2029年下半年量产“美国制造”HBM4E
在人工智能产业蓬勃发展的大背景下，SK 海力士在美国印第安纳州西拉法叶普渡大学举行了一场具有重要意义的奠基仪式，其面向 AI 的存储器先进封装生产基地正式动工。该基地...
分类：名企新闻 时间：2026/8/28 阅读：7155 关键词：SK海力士
三星确认HBM5采用2nm GAA工艺，速度较HBM4E提升逾50%
三星半导体官方新闻室发布对代工事业部技术开发室负责人、副社长Koo Ja-heun的专访，首次系统披露了下一代高带宽内存HBM5的核心技术路线图。这是三星迄今为止对HBM5技术规...
分类：名企新闻 时间：2026/7/28 阅读：3507 关键词：三星
SK海力士已向主要客户交付了12层高的第七代高带宽内存（HBM4E）样品。继三星电子上月宣布交付12层高的HBM4E样品后，SK海力士也开始交付样品，这标志着下一代人工智能内存芯...
三星电子在高端内存市场的步伐正在加快。据韩媒ChosunBiz最新报道，这家韩国科技巨头计划在今年5月生产首批符合英伟达标准的HBM4E内存性能样品，为其2027-2028年的量产供应奠定基础。这一动作被视为三星在人工智能内存领域巩固优势的关键...
分类：业界动态 时间：2026/4/16 阅读：9035
