GB/T 33720-2017《LED照明产品光通量衰减加速试验方法》发布
2017年5月12日，国家标准委发布《中华人民共和国国家标准公告2017年第11号》，由半导体照明联合创新国家重点室牵头制定的国家标准GB／T 33720－2017《照明产品光通量衰减加...
GB/T 32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布
2016年4月25日，国家标准委发布《中国国家标准公告2016年第7号》，由半导体照明联合创新国家重点实验室牵头制定的国家标准GB/T32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布，将于2016年11月1日实施。GB/T32655-20
分类：政策标准 时间：2016/5/5 阅读：1238 关键词：lead
在电子电路设计领域，MOS 管和 IGBT 管是极为常见的元件，它们都能作为开关元件发挥作用，而且在外形及特性参数方面也有一定的相似性。然而，为何有些电路选用 MOS 管，而另一些电路则采用 IGBT 管呢？下面我们就来深入了解一下，MOS 管...
基础电子 时间：2026/7/9 阅读：167
绝缘栅双极晶体管（IGBT）在电力电子领域扮演着至关重要的角色，它是一种融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）优点的半导体器件，具有高输入阻抗和低导通电压降的显著特点。尽管近年来 SiC 和 GaN 等宽...
基础电子 时间：2026/6/11 阅读：802
在电力电子系统中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）单管发挥着至关重要的作用，然而其过热烧毁问题却时常困扰着工程师们。在着手排查此类故障之前，清晰明确其核心诱因，能够使排查工作更具针对性和高效性。结合实际的工况情况，IGBT 单管过...
基础电子 时间：2026/6/8 阅读：384
在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种非常重要的功率半导体器件。IGBT 爆炸是其失效的一种较为剧烈且直观的表现形式。实际上，很多时候器件失效从外表看并无任何异常，即便去掉封装，裸眼观察芯片表面也难以发现异样，而爆...
基础电子 时间：2026/5/11 阅读：233
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电力电子领域两大核心功率器件，广泛应用于电源、电机驱动、工业控制、新能源、车载电子等各类场景。二者均具备高频开关特性，但因结构、工作原理的本质差异，...
基础电子 时间：2026/3/6 阅读：411
在工业变频调速、逆变电源、焊接设备等场景中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率变换的核心器件——但工业环境的高频电磁干扰、大电流开关应力，常导致IGBT驱动异常（比如误开通/关断）、模块过热损坏，甚至引发设备炸机。本文结合维库...
设计应用 时间：2025/12/15 阅读：1644
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的电力开关器件，其工作常态是不断地进行开关动作。在这一过程中，IGBT 的动态参数显得尤为重要，它们直接影响着 IGBT 的性能和应用效果。接下来，我们将详细解析 IGBT 的关键动...
基础电子 时间：2025/9/5 阅读：774
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块作为电力电子领域的核心器件，在电动汽车、工业控制、智能电网等众多领域有着广泛应用。而 IGBT 模块的封装，却存在着较高的技术壁垒，其核心就在于对高可靠性的严苛要求。高可靠性设计与封装工艺控制难题...
基础电子 时间：2025/8/26 阅读：978
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的功率半导体器件，发挥着关键作用。下面将详细介绍 IGBT 的基本工作原理、作用、选型要求、影响可靠性的因素、使用注意事项以及保管方法。一、IGBT 基本工作原理IGBT 由栅极（G...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：742
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种关键的功率半导体器件，被广泛应用于各种电力转换和控制电路中。然而，IGBT 在实际运行过程中可能会出现短路失效的情...
设计应用 时间：2025/8/21 阅读：584
