GB/T 33720-2017《LED照明产品光通量衰减加速试验方法》发布
2017年5月12日，国家标准委发布《中华人民共和国国家标准公告2017年第11号》，由半导体照明联合创新国家重点室牵头制定的国家标准GB／T 33720－2017《照明产品光通量衰减加...
GB/T 32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布
2016年4月25日，国家标准委发布《中国国家标准公告2016年第7号》，由半导体照明联合创新国家重点实验室牵头制定的国家标准GB/T32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布，将于2016年11月1日实施。GB/T32655-20
分类：政策标准 时间：2016/5/5 阅读：1178 关键词：lead
在工业变频调速、逆变电源、焊接设备等场景中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率变换的核心器件——但工业环境的高频电磁干扰、大电流开关应力，常导致IGBT驱动异常（比如误开通/关断）、模块过热损坏，甚至引发设备炸机。本文结合维库...
设计应用 时间：2025/12/15 阅读：1279
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的电力开关器件，其工作常态是不断地进行开关动作。在这一过程中，IGBT 的动态参数显得尤为重要，它们直接影响着 IGBT 的性能和应用效果。接下来，我们将详细解析 IGBT 的关键动...
基础电子 时间：2025/9/5 阅读：615
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块作为电力电子领域的核心器件，在电动汽车、工业控制、智能电网等众多领域有着广泛应用。而 IGBT 模块的封装，却存在着较高的技术壁垒，其核心就在于对高可靠性的严苛要求。高可靠性设计与封装工艺控制难题...
基础电子 时间：2025/8/26 阅读：645
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的功率半导体器件，发挥着关键作用。下面将详细介绍 IGBT 的基本工作原理、作用、选型要求、影响可靠性的因素、使用注意事项以及保管方法。一、IGBT 基本工作原理IGBT 由栅极（G...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：551
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种关键的功率半导体器件，被广泛应用于各种电力转换和控制电路中。然而，IGBT 在实际运行过程中可能会出现短路失效的情...
设计应用 时间：2025/8/21 阅读：470
在电机驱动和电器控制等众多工业领域中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借其低开关损耗的优势得到了广泛应用。然而，IGBT 在短路时可能会出现短路振荡（SCOs）现象，这会大...
设计应用 时间：2025/8/8 阅读：562
IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种在电力电子领域广泛应用的功率半导体器件，其栅极驱动的相关参数对于器件的性能和可靠性至关重要。下面我们将详细探讨 IGBT 栅极驱动电压的选择以及栅极驱动功率的计算方法。驱动电压的选择IGBT 模块 GE...
基础电子 时间：2025/7/31 阅读：436
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为电力电子领域中至关重要的功率半导体器件，在各类电力转换和控制应用中发挥着核心作用。然而，IGBT 元件在实际运行过程中，面临着短路和过电压等严峻问题的挑战，这些问题可能会严重影响其性能和可靠性，...
基础电子 时间：2025/7/24 阅读：369
如今，半导体行业的大部分新闻报道和讨论都聚焦于基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新型宽带隙（WBG）材料的器件。然而，就在几年前，绝缘栅双极晶体管（IGBT）还是许多...
设计应用 时间：2025/7/22 阅读：618
IGBT 变流器的高性能实现离不开对 IGBT 器件开关及特性的深入研究。而 IGBT DC Link 主回路的寄生电感，对 IGBT 的开关特性有着显著影响。本文聚焦于 IGBT 变流器中常用的叠层母排，深入分析 IGBT 尖峰电压产生和抑制的机理，建立低寄生...
基础电子 时间：2025/6/17 阅读：398
